铁电材料新突破：相位可控的大面积二维In2Se3及铁电异相结的合成
一、【导读】
In2Se3作为二维（2D）铁电场效应晶体管（FE-FET）对于下一代内存计算很有吸引力。然而，2D In2Se3薄膜...
话题：二维材料，记忆晶体
结果数：2
四川师范接文静&香港理工郝建华Nano Energy：基于二维层状硒化镓纳米片的三端子记忆晶体管用于潜在的低功耗电子应用
【研究背景】
由于低功耗，高速度和优越的可扩展性，忆阻器在非易失性存储器、逻辑器件和计算中的广泛应用。它通常是具有金...
