超“平整”材料或将打破摩尔定律

图注：由锡和氧组成的更快的半导体。

材料牛注：来自犹他大学的研究人员发现了一种新型二维材料，这种材料可以使电子更快速地运动，这一定程度上打破了原有的摩尔定律。

研究人员可以用新的材料来抵御摩尔定律，使电子更快的从A点移动到B点。犹他大学的工程师们发现了一种新型平板半导体材料，它只有一个原子厚，可以使电荷比硅或其他三维材料更快的通过它。

电荷在通过传统电子设备中运动（晶体管或由玻璃基板上的硅层组成的其他组件）时将向各个方向上发生散射。然而在早前，工程师们研究二维材料（如石墨烯、二硫化钼和硼墨烯）时发现，由于它们能够迫使电子只运动在一层上，因此这种散射会大大减弱，因此电子移动的更快。

Tiwari说，新材料在电子加速方面对原有的理论做了重要的补充，不同于石墨烯和近原子厚度材料，新材料允许负电子、正电荷或空穴穿过它。这让该团队把新材料作为第一个稳定存在的的p型二维半导体材料。

“现在我们万事俱备，”他说。“事情会更顺利地发展。”

该团队认为二维材料将使制造的晶体管比目前使用的更小、更快。使计算机和移动设备的速度比目前的设备快100倍，运行时散热好、效率高，从而延长电池寿命。

这个领域现在非常热门，所以在两到三年内，我们至少应该看到一些原型设备。

本研究发表在本周的Advanced Electronic Materials期刊上。

参考原文链接：Super flat material could extend life of Moore's Law

本文由编辑部张莹提供素材，于晗编译，点我加入编辑部。

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