法国索邦大学Nat. Commun.:双色光发射的二维半导体纳米片

NSCD 2年前 (2022-09-03) 1973浏览

【导读】

基于半导体量子点的显示技术，是未来发展的重要方向。目前，在光致发光显示模式中，三基色的实现依赖于InGaN蓝光芯片和分别发射绿光和红光的两种量子点之间的相互配合。对于不同量子点，通常需要不同的合成和后处理策略。如果能在一种量子点中实现绿光和红光的双重发射，则可大幅降低实际生产成本。

【成果掠影】

近日，法国索邦大学Sandrine Ithurria团队发表了新的研究论文，通过构建CdSe/CdTe/CdSe异质结结构纳米片，成功实现了绿-红双重光发射。在该项研究中，作者以具有本征窄带绿光发射的CdSe的纳米片为核心（510 nm, FWHM: 0.8 eV），构建了具有II型能带结构的CdSe/CdTe异质结。在此基础上，又在外围进一步生长了一层CdSe来减慢热激子的弛豫速率。由于声子瓶颈导致的较慢的电子-空穴分离，在该结构中可以同时实现源于CdSe本身的半高峰宽仅为12 nm的窄带绿光发射和来自于CdSe/CdTe界面的深红光发射。进一步的研究表明，红绿光发射组分的强度不仅可以通过纳米片结构调控，也可以通过激发光强度和电致发光过程中偏压的大小实现调控。

相关研究文章以“Double-crowned 2D semiconductor nanoplatelets with bicolor power-tunable emission”为题发表在Nature Communications上。