华科Adv. Mater.:多功能聚合物调节的SnO2纳米晶用于提高平面钙钛矿太阳能电池的界面接触效率和稳定性
【研究背景】
钙钛矿型太阳能电池(PSCs)由于其高功率转换效率(PCE)(>20%)和简单的溶液制备工艺等,在过去的十年中引起了广泛的研究兴趣。特别地,平面结构的PSCs可以用低温(≤150℃)溶液基工艺制造,这是一种节能且与柔性基板兼容的工艺。随着界面缺陷的出现,钙钛矿层中的离子迁移和陷阱态也被认为是磁滞效应的起源。改善致密TiO2层的电子性能是提高规则平面PSCs性能的有效方法。同时,开发各种低温可加工电子传输层(ETL)材料,如SnO2、BaSnO3、ZnO、富勒烯衍生物等,似乎有利于平面PSCs的发展。
【成果简介】
近日,华中科技大学武汉光电国家研究中心李雄教授通过改善SnO2 ETL和钙钛矿层之间的界面接触,提高了平面PSCs的效率和稳定性。引入一种生物聚合物(肝素钾,HP)来调节SnO2纳米晶的排列,并诱导钙钛矿的垂直定向生长。相应地,基于SnO2-HP的器件在刚性衬底上的平均效率为23.03%,增强的开路电压(VOC)为1.162V,并且具有较高的再现性。由于加强了界面结合,器件获得了很高的运行稳定性,在1个太阳光照强度下,在最大功率点运行1000 h后仍保持97%的初始性能(功率转换效率,PCE>22%)。此外,HP改性的SnO2 ETL在柔性和大面积器件中具有广阔的应用前景。该文章近日以题为“Multifunctional Polymer-Regulated SnO2 Nanocrystals Enhance Interface Contact for Efficient and Stable Planar Perovskite Solar Cells”发表在知名期刊Adv. Mater.上。
【图文导读】
图一、SnO2胶体分散体的稳定化及器件制作
(a)分散液中SnO2纳米晶体的分布,薄膜中SnO2纳米晶体的排列以及有无HP的SnO2薄膜上钙钛矿层的晶体生长示意图。
(b)有无HP的新鲜和老化SnO2胶态分散体的数字图像,以及相应的DLS光谱。
(c)有无HP的SnO2纳米晶体的TEM图像。
(d)SnO2和SnO2-HP薄膜的GIXRD图。
(e-f)沉积在SnO2和SnO2-HP薄膜上的钙钛矿层的横截面SEM图像和GIXRD图。
图二、SnO2与HP的相互作用及其对钙钛矿层的影响
(a)SnO2、SnO2-HP和HP薄膜的FTIR光谱,比较了归属于C=O和S=O的信号。
(b)SnO2和SnO2-HP膜的XPS光谱,比较了Sn(3d3/2,3d5/2)的峰。
(c)SnO2-HP纳米晶体的TEM元素图分析。
(d-e)ITO、ITO/SnO2和ITO/SnO2-HP上钙钛矿层的稳态和TRPL光谱。
图三、基于SnO2和SnO2-HP的平面PSCs的器件性能
(a)在反向扫描中测量的基于SnO2和SnO2-HP的电池的典型J-V曲线。
(b)基于SnO2和SnO2-HP的HP电池的稳态功率输出效率。
(c)基于SnO2和SnO2-HP的电池的EQE和积分电流密度谱。
(d)SnO2和SnO2-HP电池的PCE直方图。
(e)VOC对基于SnO2和SnO2-HP的平面PSCs的光强度的依赖性。
(f)使用SnO2和SnO2-HP作为ETL在ITO/PET上制造的柔性平面PSC进行反向扫描时测得的J-V曲线。
(g)使用SnO2和SnO2-HP作为ETL在ITO/PET上制作的柔性平面PSC微型模块的反向扫描测量的J-V曲线。
图四、器件的长时间稳定性
(a)对基于SnO2和SnO2-HP的高性能平面PSCs器件在恒定的模拟太阳光照(100 mW cm-2)条件下(不含紫外截止滤波器)连续跟踪1000小时的最大功率点(MPP)。
(b)以SnO2和SnO2-HP为ETL作为弯曲周期函数的柔性平面PSCs的PCE演化。
【结论展望】
综上所述,作者介绍了一种用于稳定SnO2胶体分散和沉积SnO2纳米晶有序排列的薄膜的HP生物聚合物。研究发现,这种策略能够通过诱导混合阳离子钙钛矿的垂直定向生长来加强ETL和钙钛矿层之间的界面接触。相应地,基于SnO2-HP的平面PSCs在刚性基板上的平均效率超过23%,在柔性基板上的平均效率为19.47%。此外,在1个太阳光照强度下,电池在其MPP上的工作稳定性也很高,这为平面PSCs的ETL和界面的改进提供了一种简便易行的方法,使其成为高效、稳定的钙钛矿光电器件。
文献链接:Multifunctional Polymer-Regulated SnO2 Nanocrystals Enhance Interface Contact for Efficient and Stable Planar Perovskite Solar Cells (Adv. Mater., 2020, DOI: 10.1002/adma.202003990)
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