西南大学AEM综述: MXene在非锂离子(Na,K,Ca,Mg和Al)电池和超级电容器上的应用
【引言】
锂离子电池(LIB)是最重要的储能技术之一,已被广泛应用于便携式电子产品和电动汽车。然而,锂资源的稀缺性和成本问题阻碍了LIB在大规模储能中的应用。因此,迫切需要开发新的电池体系。Na+,K+,Mg2+,Ca2+和Al3+电池由于其资源丰富、容量高和环境友好等特性而备受关注。非锂离子电池(NLIBs)的电化学性能在很大程度上取决于其电极结构和电解质性能。近些年来,层状和二维材料由于其独特的结构而受到了广泛的研究。典型的材料就是MXene,这是一种二维分层的金属碳化物和金属氮化物材料。近年来,已提出大量MXene用于储能体系的电极材料。由于MXene具有出色的物理和化学特性,关于MXene在储能领域应用的报道每年都在增加。
近日,西南大学徐茂文教授(通讯作者)在Advanced Energy Materals上发表了题为“MXenes for Non-Lithium-Ion (Na, K, Ca, Mg, and Al) Batteries and Supercapacitors”的综述文章。本文对MXene在非锂储能技术中的合成、结构、性能和应用进行了综述。简要概述了MXene的制备策略和结构性质。还讨论了MXene的机构与储能性能之间的构效关系。最后,对MXene在储能系统中的目前存在的问题以及挑战进行了总结并概括了未来MXene的研究方向。
【图文导读】
图一 MXene简介
(a)元素周期表,其中列出了用于形成通式为Mn+1AXn的MAX相的元素的部分。
(b)关于MXene的文献数量趋势图。
图二基于HF酸和氟化物盐刻蚀的MXene
图三无氟刻蚀剂的MXene
图四MXene在储钠上的应用
(a-d)Na+嵌入不同的Ti3C2Tx的结构示意图。
(e)Ti3C2Tx的循环性能。
(f)不同充放电状态下NMR光谱。
(g)前两个充电/放电循环的非原位XRD图谱和相应的TEM图像。
图五 MXene在钾离子上的应用
(a)MoSe2/MXene @ C的合成示意图,
(b)MoSe2/MXene @ C的循环性能。
(c)MoSe2/MXene @ C在三种不同电流密度下的循环性能,。
(d)MoSe2/MXene @ C的倍率性能。
图六 MXene在镁离子电池上的应用
(a)CT-Ti3C2Tx在50mA g-1时的充电/放电曲线。
(b)计算的Ti3C2表面上O和Mg原子吸附能。
(c,d)CT-Ti3C2Tx的倍率性能和循环性能
图七MXene在铝离子电池上的应用
(a)通过TMAOH的插入说明了V2CTx的层间扩展。
(b,c)V2AlC和V2CTx的SEM图像。
(d)在不同充电状态下V2C电极的XRD图谱。
(e)铝离子电池的示意图。
(f)ML-V2C MXene的CV曲线。
(g-i)FL-V2CTx的充放电曲线和FL-V2CTx的倍率性能,以及i)FL-V2CTx性能与先前报道的正极的比较。
图八MXene在超级电容器上的应用
(a)MXene层之间插入大小不同的阳离子的示意图。
(b,c)Ti3C2Tx的FESEM图像以及层状MXene的嵌入示意图。
(d)Ti3C2Tx纸电极在KOH电解液中的CV曲线。
(e)Ti3C2Tx纸电极的电容保持率以及在1 A g-1时的充放电曲线。
(f)Ti3C2Tx纸电极的倍率性能。
(g)在KOH电解质中的Ti3C2Tx电极的EIS。
【小结】
自MXene于2011年发布第一份报告以来,它已成为2D材料领域的热门和前沿研究方向。在材料制备方面,现有的MXene材料制备方法主要围绕蚀刻MAX相前驱体的思想发展。通过选择蚀刻剂来制备MXene材料的制备方法有很多种。 不同的蚀刻方法对MXene材料的形貌有不同的影响。尽管可以通过蚀刻大规模制备MXene材料,但是通常在MXene材料的表面上引入更多的杂原子官能团或结构缺陷,从而影响MXene的导电性。 根据石墨烯和其他2D材料的制备路线,诸如CVD的自下而上方法的发展是高纯度MXene制备的未来方向。目前,研究机构报告的大多数MXene材料都是钛基材料。随着金属元素组成的变化,MXene材料将表现出不同的性能。对不同金属或双金属过渡金属和多种过渡金属MXene材料的探索有望为2D材料的研究打开另一个窗口。在材料结构设计方面,可以利用石墨烯研究和2D MXene的思想制备2D MXene纳米线或纳米管,可以研究其性能,也可以将MXene用作模板制备金属氧化物和其他衍生物。 具有相应的独特结构,这也是MXene材料领域要研究的工作。
文献链接:“MXenes for Non-Lithium-Ion (Na, K, Ca, Mg, and Al) Batteries and Supercapacitors”(DOI: 10.1002/aenm.202000681)
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