加利福尼亚大学伯克利分校 JACS:铟磷化物量子点对镧系元素发射进行宽带敏化及其可见近红外降频
【引言】
三价镧系元素(Ln)离子在各种光学应用中,具有超出可见光和近红外线的尖锐发射(NIR)频谱。因此在能量转换,生物成像和其他应用程序中具有很好的应用。伴随着这些优势,也带来了各种挑战。这些离子内的跃迁是原子状,意味着这些离子可以吸收的能量范围非常小;f-f跃迁的禁止性质意味着与染料或量子点(QD)相比,吸收截面非常小,需要大量离子以在发光体内具有实际吸收值,这可导致交叉弛豫和能量迁移到非辐射淬火中心。研究发现,核壳结构的InP具有QD的宽吸收和Yb3+离子的窄发射的特点。尽管合成了半导体量子点(QD)-敏化的镧系离子,在产生广泛吸收和急剧发射的发光体方面具有很大的前景,但是它们的合成非常困难。本文首次合成核/壳/壳状InP/LnxY1-xF3/ShF3纳米晶体,揭示从QD到Ln离子的能量转移机制。
【成果简介】
近日,美国加利福尼亚大学伯克利分校的A. Paul Alivisatos(通讯)作者等人,第一次合成核/壳/壳状InP/LnxY1-xF3/ShF3(Ln=Yb,Nd; Sh=Lu,Y)纳米晶体,其具有广泛的可见吸收和尖锐的近红外发射。这是Nd与QD吸收器耦合的第一份报道。本文采用各种电子显微镜和X射线技术证明了这种独特的结构。光学测量证实了Ln3+发射与QD吸收的相关性;陷阱态发射的存在给出了点与镧系元素之间能量转移机制的线索。相关成果以“Broadband Sensitization of Lanthanide Emission with Indium Phosphide Quantum Dots for Visible to Near-Infrared Downshifting”为题发表在Journal of the American Chemical Society上。
【图文导读】
图 1 核/壳/壳纳米晶的合成示意图及结构表征
(A)核/壳/壳纳米晶体的合成示意图;
(B)脱壳或表面处理之前的InP QD的TEM图像;
(C)InP/Y1-xYbxF3核/壳纳米晶体的TEM图像;
(D)InP/Y1-xYbxF3/LuF3核/壳/壳纳米晶体的TEM图像。
图 2 核/壳/壳纳米晶体的电子显微镜的结构表征
(A)核/壳/壳纳米晶体的HAADF-STEM图像;
(B)86个粒子的径向积分对比度值和该测量值的标准偏差(插图:制作此图表的过程的动画);
(C)核/壳/壳纳米晶的HRTEM图像(插图:图像对应的FFT图)。
图 3 Yb LIII边缘EXAFS分析图
(A)核/壳纳米晶体中Yb与Yb(肉豆蔻酸酯)XANES对比图;
(B)核/壳/壳纳米晶体的EXAFS拟合图。
图 4 核/壳/壳纳米晶体的光学性能
(A)核/壳/壳纳米晶体的吸收(蓝色)和PL(λex= 440 nm)(红色)(插图:在440 nm激发下,976 nm为中心的Yb3+发射图);
(B)976 nm发射的吸收率(蓝色)与PLE(红色);
(C)天然QD(蓝色)、核/壳纳米晶体(红色)和核/壳/壳纳米晶体(绿色)的InP带边发射(λem=520 nm)图;
(D)在不同激发下,Yb3+2F5/2至2F7/2NIR发射的寿命波长图:450 nm(蓝色)和760 nm(红色)(插图:974 nm绿色);
(E)在440 nm激发下,各种Yb浓度的归一化PLQY图。
【小结】
本文首次合成了InP/Y1-xLnxF3/ShF3核/壳/壳纳米晶体,其中Ln=Yb或Nd和Sh=Lu或Y。通过电子显微镜和X射线技术表征,这些颗粒形态具有很好的一致性。光学研究发现,这些粒子激发从InP带边缘,通过陷阱态到Yb3+2F5/2跃迁,导致NIR在976 nm处发射,PLQY为0.1%。随着该系统效率的进一步提高,它可以提供可调节且广泛吸收的,急剧发射的发光体,这可以进一步提高其应用价值。这项工作同时提供了从QD到Ln离子的能量转移机制的理解,有助于NIR减速器的可见设计。
文献链接:Broadband Sensitization of Lanthanide Emission with Indium Phosphide Quantum Dots for Visible to Near-Infrared Downshifting(JACS, 2018, DOI: 10.1021/jacs.8b02612)。
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