Nat. Energy:将III-V/Si太阳能电池的转换效率提高到两个结点的32.8%,三个结点的35.9%
【背景介绍】
光伏(PV)模块的成本近年来大幅下降,其效率稳步提高,与传统能源在许多地方相比,具有较强的经济竞争力。目前,占主导地位的光伏技术依赖于单结器件,这些器件的实际效率极限仅可达到25-27%。因此,研究人员越来越多地转向多结器件,其由两个或更多个堆叠的子单元组成,每个子单元吸收太阳光谱的不同部分。
【成果简介】
近日,洛桑联邦理工大学Stephanie Essig(通讯作者)等人开发出具有机械堆叠,独立运行的双结III-V/Si器件具有高达32.8%的转换效率。将GaInP/GaAs双结电池与Si单结电池组合时,更是实现了高达35.9%的效率。这些数据超过了传统Si技术的理论效率极限(29.4%)和已记录的III-V双结器件的效率(32.6%),突显了Si基多结太阳能电池的潜力。相关成果以题为“Raising the one-sun conversion efficiency of III–V/Si solar cells to 32.8% for two junctions and 35.9% for three junctions”发表在了Nature Energy上。
【图文导读】
图1 III-V/Si叠层太阳电池的设计
a,b)四端GaInP // Si和GaAs // Si双结太阳能电池的横截面示意图
c)具有1.01cm2指定照明区域的两个III-V / Si叠层太阳能电池的照片
d)在蓝光照明下和开路条件下,GaInP // Si叠层太阳能电池的照片
图2 机械堆叠III-V/Si 2J器件的光伏性能
a)堆叠前的GaInP // Si双结太阳能电池和Si异质结太阳能电池的外部量子效率(EQE)和反射(R)曲线
b)GaAs / /Si双结太阳能电池和所用Si异质结太阳能电池的EQE和R曲线
c)29.8%效率的GaInP // Si双结太阳能电池EQE比较
d)GaInP // Si双结太阳能电池每个子电池的J-V特性
e)GaAs // Si双结太阳能电池每个子电池的J-V特性
图3 四端GaInP // GaAs / /Si三结太阳能电池的设计
GaInP顶部和GaAs中间电池通过隧道结连接并堆叠在Si异质结太阳能电池上
图4 四端GaInP // GaAs // Si三结太阳能电池的光伏性能
a)三个子单元的EQE
b)GaInP / GaAs顶部电池和Si底部电池的J-V特性
图5 技术经济分析中考虑的制造工艺流程
a)制造GaInP顶部电池的工艺步骤
b)制造双面SHJ底部电池的工艺流程
c)在堆叠顶部和底部电池后的GaInP // Si双结太阳能电池
图6 III-V // Si双结太阳能电池的成本、效率对比分析
a)GaInP和GaAs顶部电池制造工艺的近期成本
b)GaInP和GaAs顶部电池制造过程的长期成本
c)III-V // Si双结太阳能电池成本效益的走势图
【小结】
该团队的工作表明,硅基双结太阳能电池能够在一次太阳照明下达到> 32%的效率。 使用GaInP / GaAs // Si三结太阳能电池效率更是突破为35.9%。对于III-V顶部电池,经济可行性的途径取决于低成本沉积方法的未来发展。这些研究挑战是严峻的,但不是不可逾越的,相信相关研究人员在会突破限制,达到更高水平。
文献链接:Raising the one-sun conversion efficiency of III–V/Si solar cells to 32.8% for two junctions and 35.9% for three junctions(Nat. Energy,2017,DOI:10.1038/nenergy.2017.144)
本文由材料人新能源组Allen供稿,材料牛整理编辑。
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